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Réf : 335245
DISQUE SSD M.2 NVMe SAMSUNG 970 EVO PLUS 500Go
116,00 € HT 139,20 € TTC
Eco-participation incluse

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8 à 15 jours

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/ DISQUE SSD M.2 NVMe SAMSUNG 970 EVO PLUS 500Go

Descriptif technique

Samsung 970 EVO Plus MZ-V75S500BW - Disque SSD - chiffré - 500 Go - interne - M.2 2280 - PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - mémoire tampon : 512 Mo - AES 256 bits - TCG Opal Encryption Profitez de performances encore améliorées. Plus rapide que le 970 EVO, le 970 EVO Plus s'appuie sur la technologie avancée V-NAND et l'optimisation de son firmware. Il maximise le potentiel de la bande passante NVMe pour pouvoir traiter des quantités de données inégalées. Le 970 EVO Plus offre une haute capacité dans un format compact ce qui permet à la fois d'augmenter considérablement la capacité de stockage et d'économiser de l'espace pour les autres composants.
Garantie du fabricant : 5 ans

Description du produit
Part number MZ-V7S500BW
Type de périphérique Disque SSD - interne
Capacité 500 Go
Cryptage matériel Oui
Algorithme de chiffrement AES 256 bits
Type de mémoire flash NAND 3 bits par cellule (TLC)
Format M.2 2280
Interface PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
Taille de la mémoire tampon 512 Mo
Caractéristiques Prise en charge TRIM, mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, V-NAND Technology, NVM Express (NVMe) 1.3, Samsung Phoenix Controller, S.M.A.R.T.
Largeur 22.15 mm
Profondeur 80.15 mm
Hauteur 2.38 mm
Poids 8 g
Endurance SSD 300 TB
Débit de transfert interne 3500 Mo/s (lecture) / 3200 Mo/s (écriture)
Lecture aléatoire 4 Ko 19000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko 60000 IOPS
Écriture aléatoire 4 Ko maximum 550000 IOPS
Lecture aléatoire maximale 4 ko 480000 IOPS
Fiabilité MTBF 1,500,000 heures
Interfaces PCI Express 3.0 x4 (NVMe) - M.2 Card
Baie compatible M.2 2280
Consommation électrique 5.8 Watt (moyenne) ¦ 9 Watt (maximum) ¦ 30 mW (max. veille)
Normes de conformité IEEE 1667
Service et maintenance Garantie limitée - 5 ans
Température minimale de fonctionnement 0 °C
Température maximale de fonctionnement 70 °C
Résistance aux chocs (en fonctionnement) 1500 g @ 0.5 ms half-sine
Documentation

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